在各类运用中，以线路修补和布局验证这一类的作业具有最大经济效益，部分的线路修正可省掉重作光罩和初度试作的研制本钱，这样的运作形式对缩短研制到量产的时程肯定有用，一起节约很多研制费用。封装后的芯片，经，此刻可运用聚集离子束体系将器材上层的钝化层翻开，显露需求衔接的两个金属导线，运用离子束堆积Pt资料，然后将两条导线衔接在一起，由此可快速缩短芯片的开发时刻。这也是芯片解密常用到办法。

  运用聚集离子束进行线路修正，(A)、(B)将欲衔接线路上的钝化层翻开，(C) 堆积Pt资料将两个线路衔接起来。

  其实FIB被运用于修正芯片线路仅仅其功用之一，这儿介绍一下另几个功用：样品原位加工

  可以幻想，聚集离子束就像一把顶级只要数十纳米的手术刀。离子束在靶材外表发生的二次电子成像具有纳米级其他显微分辩才能，所以聚集离子束体系相当于一个可以在高倍显微镜下操作的微加工台，它可拿来在任何一个部位溅射剥离或堆积资料。图1是运用聚集离子束体系篆刻的数字;图2则是在一个纳米带上加工的阵列孔;图3是为加工的横向存储器单元阵列。

  微电子、半导体以及各型功用器材领域中，因为触及工艺较多且冗杂。一款器材的开发测验中总会遇到实践结果与规划目标的误差，器材测验后的失效，逻辑功用的反常等等，关于以上问题的直观牢靠的剖析便是制备相应的器材剖面，从物理层次直观的表征构成器材反常的原因。

  运用电子束或离子束将金属有机气体化合物分化，然后可在样品的特定区域进行资料堆积。本体系可供堆积的资料有：SiO2、Pt、W。堆积的图形有点阵，直线等，运用体系堆积金属资料的功用，可对器材电路进行必定的修正，更改电路功用。

  无论是透射电镜仍是扫描透射电镜样品都需求制备十分薄的样品，以便电子可以穿透样品，构成电子衍射图画。传统的制备TEM样品的办法是机械切片研磨，用这种办法只能剖析大面积样品。选用聚集离子束则可以对样品的某一部分切片进行调查。与切开横截面的办法相同，制造TEM样品是运用聚集离子束从前后两个方向加工，最终在中心留下一个薄的区域作为TEM调查的样品。下图所示为TEM制样的工艺进程。

  微操作仪(Kleindiek Nanotechnik MM3A)具有纳米级的步进精度，X轴和Y轴的滚动量为120度，于水平进退(X轴)、水平滚动(Y轴)以及笔直滚动(Z轴)方向，的位移精度分别为2、2.5、0.2nm。MM3A微操作仪由压电马达、针尖组件、操控单元和外围支架组成。压电马达由定子和滑块组成。压电马达由伸长量为1um的压电陶瓷完成高精度位移，马达驱动电压为-80v~+80v，驱动形式分为精调形式和粗调形式各三档，选用一个12位数模转换器，将X、Y和Z方向的步进分红4096步，以此来完成纳米级的准确位移。本体系最多可独立加载三路电压。

  阐明一下：这儿的探针也是常用的芯片解密用东西之一。至于杂乱的探针组怎么用来芯片解密，那便是技能上的事了。点到为止。